ECN publicatie: facebook
Titel:
Measuring dopant concentrations in compensated p-type crystalline silicon via iron-acceptor pairing
 
Auteur(s):
Macdonald, D.; Cuevas, A.; Geerligs, L.J.
 
Gepubliceerd door: Publicatie datum:
ECN Zonne-energie 30-5-2008
 
ECN publicatienummer: Publicatie type:
ECN-W--08-021 Artikel wetenschap tijdschrift
 
Aantal pagina's:
3  

Gepubliceerd in: Applied Physics Letters (American Institute of Physics), , 2008, Vol.92, 202119, p.-.

Samenvatting:
Copyright (2008) American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.

Meer Informatie:

Terug naar overzicht.